Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 5 > Article Number: 295

Si/SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法[1],测量了MOS结构Si/SiO2界面态的俘获截面,并利用这些结果将界面态的DLTS谱反演成界面态的能量分布.结果表明:界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度,空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关,Si/SiO2界面态在Si禁带下半部的是施主态,而在上半部的是受主态,用DLTS测量的界面态不呈U型分布,它与准静态C-V测量的结果完全不同.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1674 Times PDF downloads: 1169 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 May 1994

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误