Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 9 > Article Number: 648

Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

靳彩霞 , 凌震 , 王东红 , 俞根才 , 王杰 , 黄大鸣 , 侯晓远 , 沈孝良 and 姚文华

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Abstract: 用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMn

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 September 1997

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