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Volume 15, Issue 10,
Oct 1994
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 665-669
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAsSb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层.
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 694-699
Chin. J. Semicond.
1994, 15(10): 716-720
研究了Nb/C60/P型Si结构的电学特性.I-V结果表明这一结构具有强整流效应,这意味着在C60/Si界面附近存在着一个势垒,或称C60/Si异质结.高频C-V结果表明在C60层中存有约1012~1013cm-2的可动负离子.这些离子的松弛温度高于350K,冻结温度低于260K,以及在300-370K的测量温度范围内,C60膜的相对介电常数与温度无关,即εC60=3.7±0.1.