Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 354-356
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双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

李果华 , 孙艳宁 , 严辉 , Aristo , Yulius , Jerry , M and Woodall

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Abstract: 设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管，研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响．结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性，特别是在短波方向有高于80%的内量子效率．这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时，外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小，器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性，从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

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      双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 354.Export: BibTex EndNote
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      双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 354.
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      双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

      • Received Date: 2015-08-19

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