深亚微米功耗优化的简化模型

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深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 595.Export: BibTex EndNote

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深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 595.

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深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 595.Export: BibTex EndNote

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深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

深亚微米功耗优化的简化模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 595.

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Abstract

Abstract

结合DVS和ABB技术，同时调整工作电压Ｖdd和衬底偏置电压Ｖbs的方法能有效降低深亚微米功耗．在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Ｖdd,Ｖbs简化模型．模型中任意频率下对应的优化Ｖdd,Ｖbs值中之一为常数，避免了解析方法中的超越方程求解．文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法SEM．0.18μm和0.07μm工艺参数下模拟试验表明，采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近，最大误差为2%和5％，平均误差为0.8%和1%．模拟实验表明本文的模型及方法在保证优化精度的基础上减小了计算复杂度，适用于深亚微米下的功耗优化及评估．

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