Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 197-201
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Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

董立闽 , 郭霞 , 渠红伟 , 杜金玉 , 邹德恕 , 廉鹏 , 邓军 , 徐遵图 and 沈光地

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Abstract: 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 197.Export: BibTex EndNote
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      Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 197.
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      Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

      • Received Date: 2015-08-19

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