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衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.
衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 158.
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衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计
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Abstract
讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动技术,设计实现了超低压运算放大器.在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为74dB,相位裕度为66°,失调电压为940μV,输出电压范围为110~798mV. -
References
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