Abstract:

研究了Ｎｂ／Ｃ_６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ_６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ_６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ_６０层中存有约１０^１２～１０^１３ｃｍ^－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ_６０膜的相对介电常数与温度无关，即ε_Ｃ６０＝３．７±０．１．