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超薄Si3N4/SiO2（N/O）stack栅介质及器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.
超薄Si3N4/SiO2（N/O）stack栅介质及器件[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 115.
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超薄Si3N4/SiO2（N/O）stack栅介质及器件
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Abstract
成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究．结果表明，同样EOT的Si3N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较，前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者．在此基础上,采用Si3N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0.12μｍ的CMOS器件，器件很好地抑制了短沟道效应．在Vds=Vgs=±1.5V下，nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584.3μA/μｍ和－281.3μA/μｍ，对应Ioff分别是8.3nA/μｍ和－1.3nA/μｍ． -
References
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