Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 170-175

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一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构

冯国臣 , 郑新建 and 沈绪榜

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Abstract: 针对SRAM阵列中的串扰,给出了一种新型布局结构,即字线的“错序译码”组织结构和位线的“间隔译码”组织结构.“错序译码”组织结构是根据程序“顺序局部性”的特点提出的,“间隔译码”组织结构是根据“串扰局部性”的特点提出的.在存储器单元比值一定的条件下,采用这种结构可以显著减小由寄生RC所带来的单元间的串扰,提高存储器读写的速度和工作可靠性.仿真结果进一步证实了这种结论.

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 170.Export: BibTex EndNote
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      一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 170.
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      一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构

      • Received Date: 2015-08-19

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