Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 143-147

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Abstract: 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 143.Export: BibTex EndNote
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      不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 143.
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      不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

      • Received Date: 2015-08-19

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