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Abstract
基于异质结漂移-扩散模型,考虑Fermi-Dirac统计和重掺杂能带窄变(BGN)效应,对具有非均匀掺杂基区的AlGaAs/GaAsHBT进行了数值模拟.结果表明,当基区非均匀程度较大时,非均匀掺杂引起的基区自建场远大于BGN效应产生的反向场.基区非均匀掺杂能提高电流增益,但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢.基区非均匀掺杂可明显改善截止频率fT,但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τc,scR,使得fT在非均匀程度较大时开始下降.发射极-集电极offset电压在一定的非均匀程度下达到最佳值.
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References
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