Citation: |
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 349.
Export: BibTex EndNote
|
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
-
Abstract
研究了采用向SIMOX圆片埋氧层中注入F离子的方法来改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品的辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生PMOSFET和NMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小NMOSFET中由辐照所产生的漏电流。说明在SOI材料中前后Si/Si02界面处的F可以减少空穴陷阱浓度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力。 -
References
-
Proportional views