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基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.
基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 102.
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基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
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Abstract
采用干/湿法腐蚀相结合技术,利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀,研究自对准Si/SiGe HBT台面器件,获得了fT=40GHz,fmax=127.1GHz的结果. -
References
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