Issue Browser
Volume 4, Issue 2, Feb 1983
CONTENTS
半导体中杂质的自电离态的理论
甘子钊, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 105-116
Abstract PDF

石墨插层化合物能带计算的一种方法
叶令, 张开明
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 117-123
Abstract PDF

紧束缚法计算GaAs-GaP超晶格的能带结构及电子的有关性质
刘文明, 李甲
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 124-132
Abstract PDF

掺氢和掺氟无定形硅的EHMO研究
蒋平
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 133-141
Abstract PDF

硅P-N结电场对金施主中心空穴热发射率的影响
陈开茅, 毛晋昌
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 142-148
Abstract PDF

用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究
陈光华, 张仿清, 杜宁, 徐希翔, 黄士生, 刘智
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 149-153
Abstract PDF

GaAs三元异质外延层厚度测量的X射线衍射比强度法
杨传铮
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 154-160
Abstract PDF

半导体DH条型注入激光器中侧向载流子波导引起的本征自脉动
郭长志, 汪凯戈
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 161-170
Abstract PDF

半导体多层结构的热应变弯曲和层应力
冯哲川, 刘弘度
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 171-180
Abstract PDF

大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析
张冠生, 唐厚舜, 黄杜森, 余夕同, 赵国珍, 钮成法
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 181-186
Abstract PDF

GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究
李涵秋, 陆奋
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 187-190
Abstract PDF

金属-半导体欧姆接触的接触电阻率
陈存礼
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 191-193
Abstract PDF

用光吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线
许振嘉, 张泽华, 孙伯康
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 194-196
Abstract PDF

汽相外延InP
黄善祥
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 197-199
Abstract PDF

可见光-红外光GaAlAs激光器的研究
郑广富, 廖先炳, 郑显明, 胡恩智
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 200-205
Abstract PDF

利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波段雪崩管
朱美芳, 姚德成, 刘世祥, 石万全, 杨丽华
Chin. J. Semicond.  1983, 4(2): 206-208
Abstract PDF