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基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.
基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 528.
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基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件
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Abstract
在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax=157GHz的SiGe HBT器件 -
References
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