研究了LEC 法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能（跨导、饱和漏电流、夹断电压）的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD：10/up3/～10/up4/cm－2量级)，用KOH腐蚀液显示位错(EPD：104cm－2量级)，发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响．随着AB-EPD的增大，跨导、饱和漏电流变小，夹断电压的绝对值也变小．利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底质量进行了测量，结果表明衬底参数好的样品，PL参数好，相应器件的参数也好，从而有可能制作出良好的器件．