一种单基极引出结构的硅晶体管

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一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 345.Export: BibTex EndNote

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一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 345.

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一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 345.Export: BibTex EndNote

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一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

一种单基极引出结构的硅晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 345.

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Abstract

Abstract

为研究单基极薄基区晶体管的特性，设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管，在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构，基区的平均浓度为1e18cm－3．经过版图设计和工艺流片，在2μm实验工艺线上研制了这种器件．基极采用电压输入，Vbe在1.1V附近，跨导和电流增益都达到峰值，小信号电流增益βac(ΔIc/ΔIb)=2.7，小信号跨导gmac(ΔIc/ΔVbe)=0.45mS，且gmac/gm(Ic/Vbe)比βac/β(Ic/Ib)大得多，跨导比电流增益更能准确地描述器件特性，这种器件更倾向于电压控制型器件，特别适用于数字电路的开发和应用．

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