Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 138-142
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基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

王文辉 , 唐衍哲 , 戈肖鸿 , 吴亚明 , 杨建义 and 王跃林

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Abstract: 研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 138.Export: BibTex EndNote
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      基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 138.
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      基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

      • Received Date: 2015-08-19

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