Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 3 > 554-561
|

CONTENTS

亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

张大伟 , 章浩 , 朱广平 , 张雪莲 , 田立林 and 余志平

+ Author Affiliations

PDF

Abstract: 利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解，建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型．基于密度梯度理论，建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型．在此基础上，结合弹道理论，开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型．通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果，以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较，证明了该模型具有良好的精度（平均误差小于8%）和可延伸性．

    • Search

    Advanced Search >>

    Article Metrics

    Article views: 2220 Times PDF downloads: 1282 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2005

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(3): 554-561
      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 554.Export: BibTex EndNote
      Citation:
      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 554.
      Export: BibTex EndNote
      shu

      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

      • Received Date: 2015-08-19

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return