难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

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难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(1): 57.Export: BibTex EndNote

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难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, In Press.

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Abstract

Abstract

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触，在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试，并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明，用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后，比接触电阻最小；在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻，约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度，消除了费米能级钉扎效应，从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．

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