GaSb晶体的高能N~+注入及其光学性质

Abstract: 本文用低温光致发光光谱(PL)、椭圆偏振光谱(SE)、背散射及沟道技术(RBS/C)、扫描电镜技术(SEM)等研究了2MeV高能N+注入Gasb晶体损伤及其光学性质.结果表明高能N+注入Gasb晶体不会产生反常膨胀(Swelling),通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复.椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况,并与背散射结果吻合.用有效介质模型(EMA)对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解.

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