Ar~+背面轰击对SiO_xN_y栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响

Abstract: 用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟MOSFET的特性.结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道电导和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势.快速热氮化SiOxNy为介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好.实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果.文中利用杂质吸除和应力补偿的机理进行分析.

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