GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

Key words: 立方GaN, MOVPE, 光辅助湿法腐蚀

Abstract: 研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .

    HTML

Relative (1)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved