衬底温度对直接光CVD SiO_2薄膜特性的影响

Key words: 直接光CVD, SiO2薄膜, C-V特性

Abstract: 采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40~ 2 0 0℃范围内 ,薄膜的折射率在 1.40~ 1.46之间 ,在沉积膜的红外光谱中未出现与 Si— H、Si— OH相对应的红外吸收峰 .Si O2 薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大 ,其最小值可达 1.73× 10 1 0 cm- 2 .

    HTML

Relative (1)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved