77K NMOSFET沟道热载流子注入效应

Abstract: 通过综合测试77K和295K下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及I-V特性的蜕变,研究了NMOSFET中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制.提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下NMOSFET热载流子增强蜕变的微观机制.

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