利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/PdGe欧姆接触

Abstract: 利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAs上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400~500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为~10-6Ω·cm2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理.

    HTML

Relative (20)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved