H原子吸附对Si(113)表面的影响

Abstract: 本文采用半经验分子轨道理论方法AMI研究用Si16H21模拟的Si(113)高指数表面及其吸附H原子的体系,得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化.从生成热分析得知,Si(113)表面上形成Si─H2吸附比Si─H容易,且为放热吸附;受力分析指出了表面原子再构发生的趋向,而吸附则引起趋向改变.

    HTML

Relative (20)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved