紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列(英文)

Key words: ZnS肖特基, 光电二极管阵列, 分子束外延, 高响应度

Abstract: 基于分子束外延 (MBE)生长技术 ,制备出了新颖的 8× 8Zn S肖特基光电二极管阵列 ,研究了制备该器件的标准光刻 ,金属沉积 ,湿化学腐蚀 ,Si O2 绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺 .该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为 34 0 nm.在 40 0~ 2 5 0 nm的可见光盲区域 ,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有 0 .15 A/ W的高响应度 ,相对应的量子效率为 5 5 % .成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性 .

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