微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

Abstract: 氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主(TD)和新施主(TND)的氮关施主(NRD)(nitrogen-relateddonor).其形成于500~900℃,600℃左右最为活跃.短时间热处理时,NRD的形成与消除具有可回复性,并与氮—氮对的可逆变化──对应.随热处理时间的延长,可逆行为逐渐消失.硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态.

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