通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型

Abstract: 本文利用薄膜双栅SOI器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,得到一个通用的薄膜双栅SOI器件电流模型.数值模拟结果与实验值吻合较好.文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅SOI器件进行了源漏电流的模拟,并对结果进行了分析.

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