注Si~+热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性

Abstract: 对单晶硅片上热生长的SiO2薄膜注入Si+,注入能量为120keV,剂量为2e16cm-2.在~5.0eV的光子激发下,注Si+氧化膜可生产~2.7eV的蓝光发射.在退火处理中,发光强度先随退火温度上升而增大,在500~600℃时达到最大值,此后逐渐减小.这种蓝光发射是由于注入的过剩Si引起氧空位缺陷而产生的.

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