Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长(英文)

Key words: CVD/LPCVD, 异质外延生长, 3C-SiC

Abstract: 介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0 m m的 Si(10 0 )衬底上获得了高质量的 3C- Si C外延材料 .用 X射线衍射和 Ram an散射技术研究了 3C- Si C外延膜的结晶质量 ,在 80~ 30 0 K的温度范围内利用 Van der Pauw方法对 1~ 3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试 ,室温 Hall迁移率最高达到 470 cm2 / (V· s) ,载流子浓度为 7.7× 10 1 7cm- 3 .

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