光泵外腔面发射InGaAs/InP半导体激光器

Abstract: 本文报道了外腔面发射InGaAs/InP半导体激光器的实验结果.利用面发射InGaAs/InP半导体材料作为激活介质,采用锁模(或连续)Nd+3:YAG激光(波长1.32μm)泵浦.平均输出功率达187mW,同步泵浦获得最窄脉冲宽度为6ps,输出波长1.5μm,利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得181fs超短光脉冲.

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