GaN的MOCVD生长

Abstract: GaN是重要的蓝光半导体材料.我们以TMGa和NH3为源在(0112)α-Al2O3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性.GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'.并观测到GaN所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光.

    HTML

Relative (20)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved