Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 7 > Article Number: 513

用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布

盛殊然 , 孔光临 , 廖显伯 , 夏传钺 and 郑怀德

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Abstract: 本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应.实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的.除了核准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1~2个数量级;经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D-中心引起的.光照引起浅态减少,深态增加,引起了隙态重新分布.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 July 1997

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