Chin. J. Semicond. > Volume 4 > Issue 2 > Article Number: 105

半导体中杂质的自电离态的理论

甘子钊 and 韩汝琦

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Abstract: 本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ_7对称性的受主自电离态的能级和宽度.

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1983

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