Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 7 > Article Number: 502

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

王晓亮 , 孙殿照 , 孔梅影 , 侯洵 and 曾一平

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Abstract: 在国产CBE设备上,用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs/InP应变多星子阶P-i-N结构材料,阶层中的设计In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析,并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟,确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽.结果表明,每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰,且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好,说明材料结构完整、具有较高的质量;样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致,说明生长过程可以很好的控

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 July 1997

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