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Chin. J. Semicond. > Volume 8 > Issue 1 > Article Number: 99

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一种GaAs快速光电导开关

李锦林 , 梁东明 and 张进昌

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Abstract: 本文报道了一种采用掺 Cr的 GaAs高阻材料,交叉指状图形,Ni/Ge/Au金属化,浅腐蚀坑改善光电耦合效率的快速、灵敏光电导开关.在染料激光脉冲激励下,获得短于200ps的瞬态响应.根据分析,这种光电导开关的瞬态响应应远小于200 ps,适用于信号处理.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 January 1987

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