Abstract:

本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ薄膜的界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ_２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响．结果表明，与ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡｌＮ薄膜，其界面应力很小，而且经Ｎ_２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料．