Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 8 > 1543-1548
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高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

胡强 , 卢铁城 , 敦少博 , 张松宝 , 唐彬 , 代君龙 , 朱莎 and 王鲁闽

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Key words: Ge纳米晶, 阈值剂量, 单束双能离子注入

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    Received: 18 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(8): 1543-1548
      胡强, 卢铁城, 敦少博, 张松宝, 唐彬, 代君龙, 朱莎, 王鲁闽. 高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1543-1548.
      Citation:
      胡强, 卢铁城, 敦少博, 张松宝, 唐彬, 代君龙, 朱莎, 王鲁闽. 高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1543-1548.
      shu

      • Received Date: 2015-08-18

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