Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 3 > 274-279
|

CONTENTS

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区

张昌利 , 陈治明 , 闵源基 , 金相哲 , 朴钟文 , 金南均 and 金垠东

+ Author Affiliations

PDF

Key words: 开关特性, 安全工作区, 双MOS门极控制EST

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(3): 274-279.
    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2433 Times PDF downloads: 1026 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2000

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2000  >  21(3): 274-279
      张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(3): 274-279.
      Citation:
      张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(3): 274-279.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return