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董立闽, 郭霞, 渠红伟, 杜金玉, 邹德恕, 廉鹏, 邓军, 徐遵图, 沈光地. Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 197-201.
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董立闽, 郭霞, 渠红伟, 杜金玉, 邹德恕, 廉鹏, 邓军, 徐遵图, 沈光地, Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 197-201
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Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律
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Abstract
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性． -
References
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