Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 7 > 723-725
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GSMBE生长的高质量氮化镓材料

孙殿照 , 王晓亮 , 王军喜 , 刘宏新 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 , 侯洵 and 林兰英

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Key words: 氮化镓, 分子束外延

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 July 2000

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      孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(7): 723-725.
      Citation:
      孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(7): 723-725.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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