Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 11 > 1434-1438
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Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)

杨沛锋 , 李竞春 , 于奇 , 陈勇 , 谢孟贤 , 杨谟华 , 何林 , 李开成 , 谭开洲 , 刘道广 , 张静 , 易强 and 凡则锐

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Key words: 锗硅, 场效应晶体管, 优化

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 November 2001

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2001  >  22(11): 1434-1438
      杨沛锋, 李竞春, 于奇, 陈勇, 谢孟贤, 杨谟华, 何林, 李开成, 谭开洲, 刘道广, 张静, 易强, 凡则锐. Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(11): 1434-1438.
      Citation:
      杨沛锋, 李竞春, 于奇, 陈勇, 谢孟贤, 杨谟华, 何林, 李开成, 谭开洲, 刘道广, 张静, 易强, 凡则锐. Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(11): 1434-1438.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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