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李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平. In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究[J]. 半导体学报(英文版), 1990, 11(9): 718-723.

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李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平. In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究[J]. 半导体学报(英文版), 1990, 11(9): 718-723.

李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平. In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究[J]. 半导体学报(英文版), 1990, 11(9): 718-723.

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李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平. In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究[J]. 半导体学报(英文版), 1990, 11(9): 718-723.

Abstract

In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究

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