Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 2 > 357-362

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Abstract: 基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)双稳模型,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现.结果表明,在阈值附近(大于阈值的93%)和初始相位失谐量为负的情况下,输出光功率出现双稳态.偏置电流为阈值的98%时,输入光功率在5.5μW和2.2μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好.同时,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律.

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2005

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      潘炜, 张晓霞, 罗斌, 邓果, 李孝峰, 陈建国. 垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 357-362. ****垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 357.
      Citation:
      潘炜, 张晓霞, 罗斌, 邓果, 李孝峰, 陈建国. 垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 357-362. ****
      垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(2): 357.

      垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究

      • Received Date: 2015-08-19

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