研究了采用向SIMOX圆片埋氧层中注入F离子的方法来改善SIMOX的抗总剂量辐射能力，通过比较未注F样品和注F样品的辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压，发现F具有抑制辐射感生PMOSFET和NMOSFET阈值电压漂移的能力，并且可以减小NMOSFET中由辐照所产生的漏电流。说明在SOI材料中前后Si/Si02界面处的F可以减少空穴陷阱浓度，有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力。