Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 8 > 1667-1670
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基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

黄辉 , 王兴妍 , 王琦 , 陈斌 , 黄永清 , 任晓敏 , 孙增辉 , 钟源 , 高俊华 , 马骁宇 , 陈弘达 and 陈良惠

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Key words: 晶片键合, GaAs, InP, 低温, 硫化物

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    Received: 18 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(8): 1667-1670
      黄辉, 王兴妍, 王琦, 陈斌, 黄永清, 任晓敏, 孙增辉, 钟源, 高俊华, 马骁宇, 陈弘达, 陈良惠. 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1667-1670.
      Citation:
      黄辉, 王兴妍, 王琦, 陈斌, 黄永清, 任晓敏, 孙增辉, 钟源, 高俊华, 马骁宇, 陈弘达, 陈良惠. 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1667-1670.
      shu

      • Received Date: 2015-08-18

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