Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 8 > 1662-1666
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快速确定微电子器件失效激活能及寿命试验的新方法

李杰 , 郭春生 , 莫郁薇 , 谢雪松 , 程尧海 and 李志国

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Key words: 温度斜坡, 激活能, 多退化机理

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    Received: 18 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(8): 1662-1666
      李杰, 郭春生, 莫郁薇, 谢雪松, 程尧海, 李志国. 快速确定微电子器件失效激活能及寿命试验的新方法[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1662-1666.
      Citation:
      李杰, 郭春生, 莫郁薇, 谢雪松, 程尧海, 李志国. 快速确定微电子器件失效激活能及寿命试验的新方法[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(8): 1662-1666.
      shu

      • Received Date: 2015-08-18

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